Dispositivos semiconductores
Principios y modelosBy Pedro Julián
Length10h 48m
About this audiobook
Este libro brinda una introducción a la electrónica en semiconductores –también llamada de estado sólido? Para carreras de Ingeniería en electrónica, electricidad, computadoras, comunicaciones, control y sistemas. Provee una explicación de los mecanismos de conducción eléctrica en Silicio, que luego se utiliza para el desarrollo de cuatro dispositivos fundamentales de la electrónica actual: el diodo de juntura, el capacitor Metal-Óxido-Semiconductor (MOS), el transistor MOS y el transistor bipolar de juntura.
Esta obra conduce al estudiante a entender el funcionamiento de cada uno de los dispositivos, partiendo de sus principios fundamentales y que, a partir de allí, comprenda, en profundidad, los diferentes modelos eléctricos que puede utilizar para representarlo, sus alcances y limitaciones.
Audiobook details
GenreTechnology
Length10 hrs 48 mins
Narrated byListen with 1,000+ voices
FormateBook with Audio
Publish dateJun 20, 2013
LanguageSpanish
Table of contents
1Pedro Julián
26)/kT
2Pedro Julián
27T=0K
3Mensaje del editor
282.3.2 Dopado Tipo P
4XV
292.4 Mecanismos de conducción
5Prefacio
30)α
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6XIX
312.4.2 Densidad de corriente de arrastre
7Modelos de circuitos eléctricos
32= qnµnE
81.1.1 Resistores
332.4.3 Difusión
91.1.2 Capacitores
34Introducción a los semiconductores
101.1.3 Inductores
353.1 Descripción Cualitativa
111.1.4 Memristores
36Descripción Cualitativa
12M
371 Na
131.1.5 Fuentes independientes
383.3 Modelo de DC
14dis dv
393.3.2 Solución en directa
15Clasificación de modelos
403.3.3 Solución en inversa
161.2.2 Modelos según la frecuencia
411 Na
17= j2πf ESL
42Modelo de DC
182πRC
433.3.4.1 Efectos de la temperatura
191.2.3 Construcción de modelos
44≈ Is
202.1 Bandas de Energía en Silicio
45Modelo Lineal Incremental
21Bandas de Energía en Silicio
461 UT
222.2 Equilibrio Térmico
473.5.1 Capacidad en inversa
23Equilibrio Térmico
48Wn (cid:16)2Dp Wn
24Figura 2.6 – Representación bidimensional de la estructura cristalina del Silicio.
49Cvac
252.3 Dopado
503.6.2 Efecto Avalancha
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